STW19NM50N的供应商，STW19NM50N规格参数，STW19NM50N的PDF资料

STW19NM50N /MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A

STW19NM50N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:2 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW19NM50N

晶体管类型:N-Channel

类型:MDmesh II Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:38 g

STW19NM50N

STW19NM50N的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市创科捷佳电子有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-1109	0755-82722720 13286466676	詹嘉捷	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	STW19NM50N	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STW19NM50N	华强北都会轩2601	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室	18927111567	黄	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	STW19NM50N	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
集好芯城	STW19NM50N	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	STW19NM50N	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市佳威星科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	STW19NM50N	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STW19NM50N	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价

STW19NM50N及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
STW19NM50N	MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	STMicroelectronics	714.17 Kbytes	共18页	无
STW19NM50N	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3	STMicroelectronics	733.48 Kbytes	共18页	无
STW19NM50N	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道	ST(意法半导体)	733.48 Kbytes	共18页	无

STW19NM50N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	STW19NM50N	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	1+:￥35.64 10+:￥31.78 100+:￥26.2599 250+:￥24.0699 500+:￥21.97 1000+:￥20.2201 2000+:￥19.421+:￥28.4101 10+:￥25.34 100+:￥23.94 250+:￥22.2 500+:￥22.2 1000+:￥20.38 2000+:￥20.1 5000+:￥19.5401 10000+:￥20.0810+:￥34.6199 30+:￥31.02 60+:￥27.03 120+:￥24.841+:￥26.02 31+:￥15.61
Digi-Key 得捷电子	STW19NM50N	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	1+:￥35.64 10+:￥31.78 100+:￥26.2599 250+:￥24.0699 500+:￥21.97 1000+:￥20.2201 2000+:￥19.42
Digi-Key 得捷电子	STW19NM50N	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3	$6.00000
Mouser 贸泽电子	STW19NM50N	STMicroelectronics	MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	1:¥37.6516 10:¥33.5836 100:¥27.7415 250:¥25.4363 500:¥23.2102
Mouser 贸泽电子	STW19NM50N	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	1+:￥35.64 10+:￥31.78 100+:￥26.2599 250+:￥24.0699 500+:￥21.97 1000+:￥20.2201 2000+:￥19.421+:￥28.4101 10+:￥25.34 100+:￥23.94 250+:￥22.2 500+:￥22.2 1000+:￥20.38 2000+:￥20.1 5000+:￥19.5401 10000+:￥20.08
RS(欧时)	STW19NM50N	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A	1+:￥35.64 10+:￥31.78 100+:￥26.2599 250+:￥24.0699 500+:￥21.97 1000+:￥20.2201 2000+:￥19.421+:￥28.4101 10+:￥25.34 100+:￥23.94 250+:￥22.2 500+:￥22.2 1000+:￥20.38 2000+:￥20.1 5000+:￥19.5401 10000+:￥20.0810+:￥34.6199 30+:￥31.02 60+:￥27.03 120+:￥24.84
立创商城	STW19NM50N	ST(意法半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥10.89 10+:￥8.12 30+:￥7.61 100+:￥7.1 500+:￥6.88 1000+:￥6.77

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