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STW23NM60N /STMicroelectronics/分立半导体产品
STW23NM60N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 9.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 50V

功率 - 最大值:150W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247-3

其它名称:497-7621-5STW23NM60N-ND

供应商STW23NM60N
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10+:¥45.55
25+:¥41.5
100+:¥37.4499
250+:¥34.4101
500+:¥31.3810+:¥58.61
30+:¥55.82
60+:¥53.1501
120+:¥4
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