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STGW40H120F2 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGW40H120F2的规格信息
STGW40H120F2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:468 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW40H120F2

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:80 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW40H120F2
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STGW40H120F2深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
STGW40H120F2STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed1:¥74.919
10:¥67.6983
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Mouser 贸泽电子
STGW40H120F2STMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥74.56
10+:¥67.14
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250+:¥50.7
500+:¥46.18
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10+:¥53.5
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250+:¥44.14
500+:¥44.14
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2500+:¥40.53
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