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STGW25H120DF2 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGW25H120DF2的规格信息
STGW25H120DF2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW25H120DF2

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:25 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW25H120DF2
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深圳市辉华拓展电子有限公司STGW25H120DF2深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STGW25H120DF2STMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥60.01
10+:¥54.04
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STGW25H120DF2STMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥60.01
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25+:¥39.18
100+:¥35.53
250+:¥35.53
500+:¥35.53
1000+:¥32.62
2500+:¥32.3
5000+:¥31.31