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STGW30NC60KD /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:PowerMESH??

包装:管件

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):125A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,20A

功率 - 最大值:200W

开关能量:350µJ(开),435µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:96nC

25°C 时 Td(开/关)值:29ns/120ns

测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):40ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

其它名称:497-7485-5STGW30NC60KD-ND

供应商STGW30NC60KD
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
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集好芯城STGW30NC60KD深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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STGW30NC60KDIGBT 晶体管 30A 600v IGBTSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO331.92 Kbytes共14页STGW30NC60KD的PDF下载地址
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STGW30NC60KD栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,20A 集电极电流(Ic)(最大值):60A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO345.11 Kbytes共14页STGW30NC60KD的PDF下载地址
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STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30A 600v IGBT1+:¥47.06
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ChipOneStop
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30A 600v IGBT1+:¥47.06
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Digi-Key 得捷电子
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO247$6.49000
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Digi-Key 得捷电子
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30A 600v IGBT1+:¥47.06
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Future(富昌)
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30A 600v IGBT1+:¥47.06
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Mouser 贸泽电子
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 30A 600v IGBT1+:¥47.06
10+:¥42
100+:¥34.4499
250+:¥31.0899
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2500+:¥22.34
5000+:¥21.5
10000+:¥20.841+:¥37.19
10+:¥30.06
100+:¥27.17
250+:¥24.85
500+:¥24.85
1000+:¥23.72
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5000+:¥22.85
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Mouser 贸泽电子
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 30A 600v IGBT1:¥47.0306
10:¥39.9568
100:¥34.6571
250:¥32.883
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立创商城
STGW30NC60KDST(意法半导体)栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,20A 集电极电流(Ic)(最大值):60A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥8.064
10+:¥7.824