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STGW30V60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGW30V60DF的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

特色产品："Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：120A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.3V @ 15V，30A

功率 - 最大值：258W

开关能量：383µJ（开），233µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：163nC

25°C 时 Td（开/关）值：45ns/189ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：53ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

其它名称：497-13765-5

供应商STGW30V60DF
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STGW30V60DFIGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1.85 Mbytes共22页STGW30V60DF的PDF下载地址无
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1+:￥24.65
10+:￥19.86
100+:￥17.6
250+:￥16.3
500+:￥14.62
1000+:￥12.36
2500+:￥11.7099
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1+:￥24.65
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1+:￥24.65
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 258W TO247$2.88000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1+:￥24.65
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.1308
500:¥15.368
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT1+:￥24.65
10+:￥19.86
100+:￥17.6
250+:￥16.3
500+:￥14.62
1000+:￥12.36
2500+:￥11.7099
5000+:￥11.271+:￥19.63
10+:￥15.82
100+:￥14
250+:￥13
500+:￥13
1000+:￥12.41
2500+:￥11.94
5000+:￥11.67
10000+:￥11.461+:￥14.83
10+:￥14.6
50+:￥14.3899
100+:￥12.52011+:￥81+:￥11.48
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