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STGW20V60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGW20V60DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A

功率 - 最大值:167W

开关能量:200µJ(开),130µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:116nC

25°C 时 Td(开/关)值:38ns/149ns

测试条件:400V,20A,15V

反向恢复时间(trr):40ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

其它名称:497-13763-5

供应商STGW20V60DF
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STGW20V60DF600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO2090.08 Kbytes共23页STGW20V60DF的PDF下载地址
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STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube99 : $1.8305
499 : $1.6756
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STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥22.4
10+:¥18.04
100+:¥16
250+:¥14.76
500+:¥13.31
1000+:¥11.21
2500+:¥10.62
5000+:¥10.261+:¥17.89
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500+:¥7.16
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Digi-Key 得捷电子
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥22.4
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Digi-Key 得捷电子
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO247$2.99000
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Digi-Key 得捷电子
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO24710 : $2.618
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Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT1:¥22.3627
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100:¥16.4415
250:¥15.594
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Verical
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥22.4
10+:¥18.04
100+:¥16
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500+:¥13.31
1000+:¥11.21
2500+:¥10.62
5000+:¥10.261+:¥17.89
10+:¥14.41
100+:¥12.75
250+:¥11.84
500+:¥11.84
1000+:¥11.31
2500+:¥10.87
5000+:¥10.62
10000+:¥10.445+:¥8.49
25+:¥8.34
100+:¥8.21
500+:¥7.161+:¥7.77