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STGW30H65FB /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGW30H65FB的规格信息
STGW30H65FB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

特色产品：St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：120A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：260W

开关能量：151µJ（开），293µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：149nC

25°C 时 Td（开/关）值：37ns/146ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

其它名称：497-14467-5

供应商STGW30H65FB
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集好芯城STGW30H65FB深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STGW30H65FB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司STGW30H65FB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STGW30H65FB深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司STGW30H65FB深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市斌腾达科技有限公司STGW30H65FB深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司STGW30H65FB深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司STGW30H65FB深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STGW30H65FB龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司STGW30H65FB华强广场C座18J0755-27381274
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深圳市天卓伟业电子有限公司STGW30H65FB深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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STGW30H65FBIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1.63 Mbytes共20页STGW30H65FB的PDF下载地址无
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管1+:￥25.02
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管1+:￥25.02
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 30A 260W TO-247$2.72000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管1+:￥25.02
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Verical		STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管1+:￥25.02
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