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STGW28IH125DF /IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
STGW28IH125DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.25 kV

集电极—射极饱和电压:2.65 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW28IH125DF

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:30 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW28IH125DF
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STGW28IH125DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥35.42
10+:¥28.44
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250+:¥23.35
500+:¥21.02
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5000+:¥16.151+:¥28.2401
10+:¥22.69
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100:¥26.0465
250:¥24.747
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10+:¥28.44
100+:¥25.31
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500+:¥21.02
1000+:¥17.68
2500+:¥16.8
5000+:¥16.151+:¥28.2401
10+:¥22.69
100+:¥20.21
250+:¥18.72
500+:¥18.72
1000+:¥17.87
2500+:¥17.19
5000+:¥16.72
10000+:¥16.52