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STGW40H120DF2 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGW40H120DF2的规格信息
STGW40H120DF2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:468 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW40H120DF2

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:40 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW40H120DF2
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STGW40H120DF2的全球分销商及价格
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