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STGW15M120DF3 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGW15M120DF3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:M-Series IGBTs

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,15A

功率 - 最大值:259W

开关能量:550µJ(开),850µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:226nC

25°C 时 Td(开/关)值:26ns/122ns

测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):270ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

其它名称:497-15057-5

供应商STGW15M120DF3
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STGW15M120DF3IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low lossSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1.2 Mbytes共19页STGW15M120DF3的PDF下载地址
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25+:¥41.75
100+:¥37.67
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Mouser 贸泽电子
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250+:¥30.15
500+:¥30.15
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5000+:¥26.5601