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STGW10M65DF2 /IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
STGW10M65DF2的规格信息
STGW10M65DF2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:20 A

Pd-功率耗散:115 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW10M65DF2

集电极最大连续电流 Ic:20 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 uA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:6 g

供应商STGW10M65DF2
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