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STF19NM50N /MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
STF19NM50N的规格信息
STF19NM50N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF19NM50N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:330 mg

供应商STF19NM50N
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF19NM50Nwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF19NM50N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STF19NM50N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司STF19NM50N广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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上海三崧电子有限公司STF19NM50N上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STF19NM50N深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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STF19NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1+:¥27.57
10+:¥24.64
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100+:¥20.21
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
STF19NM50NSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 500V1:¥27.5833
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