制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:320 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

高度:4.6 mm

长度:16.4 mm

产品:Power MOSFET

系列:STF16N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MDmesh M2

宽度:10.4 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:18.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:58 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

单位重量:330 mg