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STF18NM60ND /MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
STF18NM60ND的规格信息
STF18NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

封装:Tube

系列:STF18NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:330 mg

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100+:¥29.68
250+:¥26.77
500+:¥24.0699
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