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STF18NM60N /MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
STF18NM60N的规格信息
STF18NM60N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:35 nC

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF18NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:330 mg

供应商STF18NM60N
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上海三崧电子有限公司STF18NM60N上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF18NM60N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STF18NM60Nwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司STF18NM60N深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STF18NM60N深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市辉华拓展电子有限公司STF18NM60N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司STF18NM60N航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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北京金州智业科技有限公司STF18NM60Nwww.bjjzzy.com13683302275
13683302275
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苏州芯华胜半导体科技有限公司STF18NM60N江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
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深圳市天卓伟业电子有限公司STF18NM60N深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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STF18NM60NMOSFET N-CH 600V 13A TO220FPSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1.15 Mbytes共21页STF18NM60N的PDF下载地址
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STF18NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh1+:¥37.82
10+:¥31.78
100+:¥27.06
250+:¥24.81
500+:¥22.4
1000+:¥19.27
2000+:¥18.26
5000+:¥17.671+:¥30.15
10+:¥25.34
100+:¥21.53
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5000+:¥18.069950+:¥5.75
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Digi-Key 得捷电子
STF18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220FP$2.52000
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Digi-Key 得捷电子
STF18NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh1+:¥37.82
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Digi-Key 得捷电子
STF18NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II1+:¥40.51
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Future(富昌)
STF18NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh1+:¥37.82
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STF18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
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Mouser 贸泽电子
STF18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
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Mouser 贸泽电子
STF18NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II1+:¥40.51
10+:¥32.5801
100+:¥29.68
250+:¥26.77
500+:¥24.0699
1000+:¥20.3
2000+:¥19.271+:¥32.3
10+:¥26.01
100+:¥23.69
250+:¥21.45
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STF18NM60NST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:285mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道1+:¥16.51
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1000+:¥12.92