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STF18NM80 /MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
STF18NM80的规格信息
STF18NM80的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF18NM80

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:14 S

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:96 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:330 mg

供应商STF18NM80
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深圳市骏凯诚科技有限公司STF18NM80深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF18NM80深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STF18NM80www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市莱杰信科技有限公司STF18NM80深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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Am2
STF18NM80STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh1+:¥50.26
10+:¥40.44
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
STF18NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh1:¥50.172
10:¥42.6462
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250:¥35.0413
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Verical
STF18NM80STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh1+:¥50.26
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STF18NM80ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:295mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道1+:¥19.48
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