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STF15NM65N /MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
STF15NM65N的规格信息
STF15NM65N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:15.5 A

Rds On-漏源导通电阻:270 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF15NM65N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:26 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:330 mg

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Am2
STF15NM65NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet1+:¥28.15
10+:¥22.62
100+:¥20.0699
250+:¥18.55
500+:¥16.65
1000+:¥14.04
2500+:¥13.38
5000+:¥12.87991+:¥22.45
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10+:¥22.21
100+:¥19.71011+:¥20.66
51+:¥12.3899
401+:¥8.85
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
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10000+:¥13.121+:¥27.64
10+:¥22.21
100+:¥19.7101
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Mouser 贸泽电子
STF15NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet1:¥29.7416
10:¥23.8995
100:¥21.2101
250:¥19.5942
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STF15NM65NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet1+:¥28.15
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立创商城
STF15NM65NST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥26.42
10+:¥25.65