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STF16N60M6 /MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF16N60M6的规格信息
STF16N60M6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:320 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:-

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:-

Pd-功率耗散:-

配置:Single

商标名:MDmesh

系列:STF16N60M6

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:2 g

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STF16N60M6MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO576.65 Kbytes共13页STF16N60M6的PDF下载地址
STF16N60M6连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.29 Mbytes共13页STF16N60M6的PDF下载地址
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STF16N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package1:¥17.1308
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STF16N60M6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道1+:¥15.07
10+:¥14.63