STF18N65M2
/MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF18N65M2的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:12 A
Rds On-漏源导通电阻:275 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:20 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Tube
系列:STF18N65M2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:12.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.5 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:46 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:2.300 g
STF18N65M2
STF18N65M2及相关型号的PDF资料
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| STF18N65M2 | Extremely low gate charge | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | ![STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO](/PdfSupLogo/150STMICROELECTRONICS.GIF) | 801.16 Kbytes | 共13页 |  | 无 |
STF18N65M2的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | STF18N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package | 1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
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立创商城 | STF18N65M2 | ST(意法半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：330mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.948
10+:￥3.834
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