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SIZF918DT-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
SIZF918DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAIR-6x5F-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, NPN

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A, 60 A

Rds On-漏源导通电阻:6.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:14.6 nC, 37 nC

最小工作温度:- 50 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:26.6 W, 50 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIZ

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:53 S, 87 S

下降时间:10 ns, 10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns, 55 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 30 ns

典型接通延迟时间:17 ns, 22 ns

供应商SIZF918DT-T1-GE3
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SIZF918DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F1:¥12.2944
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100:¥7.7631
500:¥6.7122
3,000:¥4.9381
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