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SIZ920DT-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIZ920DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:PowerPAIR®

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.1 毫欧 @ 18.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1260pF @ 15V

功率 - 最大值:39W,100W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-PowerPair?

供应商器件封装:6-PowerPair?

其它名称:SIZ920DT-T1-GE3TRSIZ920DTT1GE3

供应商SIZ920DT-T1-GE3
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SIZ920DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥13.17
10+:¥11.8799
25+:¥10.64
100+:¥9.56
250+:¥8.49
500+:¥7.42
1000+:¥6.141+:¥10.19
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500+:¥6.55
1000+:¥6.1
3000+:¥5.6
6000+:¥5.55
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