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SIZF906DT-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5
SIZF906DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAIR-6x5-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms, 900 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V

Qg-栅极电荷:49 nC, 200 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:38 W, 83 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIZ

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:130 S, 130 S

下降时间:40 ns, 30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns, 60 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 65 ns

典型接通延迟时间:20 ns, 45 ns

供应商SIZF906DT-T1-GE3
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深圳市星宇佳科技有限公司SIZF906DT-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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Mouser 贸泽电子		SIZF906DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 51:¥12.9046
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