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SIZ902DT-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ902DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAIR-6x5-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms, 6.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:21 nC, 65 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:29 W, 66 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIZ

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:47 S, 63 S

下降时间:10 ns,10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns, 20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:15 ns, 30 ns

零件号别名:SIZ902DT-GE3

单位重量:220 mg

供应商SIZ902DT-T1-GE3
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SIZ902DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V3000+:¥4.38
6000+:¥4.1601
15000+:¥4
30000+:¥3.87
75000+:¥3.761+:¥8.7
10+:¥6.96
100+:¥5.3699
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SIZ902DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V3000+:¥4.38
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SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR$1.56000
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Mouser 贸泽电子
SIZ902DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 51:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
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Verical
SIZ902DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V3000+:¥4.38
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6000+:¥4.25
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24000+:¥4.053000+:¥3.921+:¥4.811+:¥4.76