SIZF914DT-T1-GE3 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23.5A(Ta), 40A(Tc), 52A(Ta), 60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA, 2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 10A, 10V, 0.9mΩ @ 10A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W(Ta), 26.6W(Tc), 4W(Ta), 60W(Tc) 类型:双N沟道 | VISHAY(威世) |  | 325.27 Kbytes | 共12页 |  | 无 |