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SIZ904DT-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ904DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAIR-6x5-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A, 16 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms, 13.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:12 nC, 23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W, 33 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIZ

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:17 S, 24 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SIZ904DT-GE3

供应商SIZ904DT-T1-GE3
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13352985419,19076157484
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIZ904DT-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳诚思涵科技有限公司SiZ904DT-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIZ904DT-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIZ904DT-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市惊羽科技有限公司SIZ904DT-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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深圳市金华微盛电子有限公司SIZ904DT-T1-GE3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
13510157626
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深圳市威雅利发展有限公司SIZ904DT-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SIZ904DT-T1-GE3SIZ904DT-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 9.5A; 14.5A; 30V; 8-Pin PowerPAIRSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO232.46 Kbytes共14页SIZ904DT-T1-GE3的PDF下载地址
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SIZ904DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.441+:¥6.8401
10+:¥5.49
100+:¥4.22
500+:¥3.72
1000+:¥3.64
3000+:¥3.47
6000+:¥3.34
9000+:¥3.26
24000+:¥3.151+:¥3.78
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SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR$1.23000
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Digi-Key 得捷电子
SIZ904DT-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.44
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Mouser 贸泽电子
SIZ904DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 51:¥9.0626
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
3,000:¥3.8985
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥5.49
100+:¥4.22
500+:¥3.72
1000+:¥3.64
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SIZ904DT-T1-GE3VISHAY(威世)预售芯片1+:¥8.49
200+:¥3.29
500+:¥3.17
1000+:¥3.12