制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAIR-6x5F-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, NPN

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A, 60 A

Rds On-漏源导通电阻:12.7 mOhms, 6.58 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:14.6 nC, 62 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:26.6 W, 60 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIZ

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:53 S, 91 S

下降时间:10 ns, 20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns, 60 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 45 ns

典型接通延迟时间:17 ns, 30 ns