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SIZ916DT-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIZ916DT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A,40A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 毫欧 @ 19A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1208pF @ 15V

功率 - 最大值:22.7W,100W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-PowerPair?

供应商器件封装:6-PowerPair?

其它名称:SIZ916DT-T1-GE3TRSIZ916DTT1GE3

供应商SIZ916DT-T1-GE3
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SIZ916DT-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥5.5001
6000+:¥5.29
15000+:¥5.09
30000+:¥5.0101
75000+:¥4.891+:¥10.02
10+:¥8.12
100+:¥6.49
500+:¥6.49
1000+:¥6.0299
3000+:¥5.54
6000+:¥5.48
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24000+:¥5.241+:¥5.88
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SIZ916DT-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥5.5001
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