通道类型：P

最大连续漏极电流：13 A

最大漏源电压：100 V

最大漏源电阻值：200 m0hms

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：表面贴装

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：150 W

宽度：9.65mm

典型接通延迟时间：16 ns

典型关断延迟时间：34 ns

典型输入电容值@Vds：1400 pF @ -25 V

典型栅极电荷@Vgs：61 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+175 °C

长度：10.67mm

高度：4.83mm

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs