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SIHF720L-GE3 /
SIHF720L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流3.3 A

最大漏源电压400 V

最大漏源电阻值1.8 0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220AB

安装类型通孔

晶体管配置

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散50 W

高度15.49mm

每片芯片元件数目1

尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm

最高工作温度+150 °C

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds410 pF @ 25 V

典型关断延迟时间30 ns

典型接通延迟时间10 ns

最低工作温度-55 °C

长度10.51mm

宽度4.65mm

无铅情况/RoHs

供应商SIHF720L-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SIHF720L-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
万三科技(深圳)有限公司SIHF720L-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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SIHF720L-GE3SIHF720L-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 3.3 A, 400 V, 3-Pin TO-220ABSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO176.90 Kbytes共8页SIHF720L-GE3的PDF下载地址
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SIHF720L-GE3Siliconix / VishaySIHF720L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 3.3 A; 400 V; 3-Pin TO-220AB+100:$1.18
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