通道类型N

最大连续漏极电流3.3 A

最大漏源电压400 V

最大漏源电阻值1.8 0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220AB

安装类型通孔

晶体管配置单

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散50 W

高度15.49mm

每片芯片元件数目1

尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm

最高工作温度+150 °C

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds410 pF @ 25 V

典型关断延迟时间30 ns

典型接通延迟时间10 ns

最低工作温度-55 °C

长度10.51mm

宽度4.65mm

无铅情况/RoHs否