制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:28 A

Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:SIHF

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:8.7 S

下降时间:43 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:44 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:53 ns

典型接通延迟时间:11 ns