通道类型N

最大连续漏极电流18 A

最大漏源电压200 V

最大漏源电阻值180 m0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型I2PAK (TO-262)

安装类型通孔

晶体管配置单

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散130 W

高度11.3mm

每片芯片元件数目1

尺寸10.67 x 4.83 x 11.3mm

最高工作温度+150 °C

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs70 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds1300 pF @ 25 V

典型关断延迟时间45 ns

典型接通延迟时间14 ns

最低工作温度-55 °C

长度10.67mm

宽度4.83mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs