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SIHF8N50L-E3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
SIHF8N50L-E3的规格信息
SIHF8N50L-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23.6 ns

典型接通延迟时间:17.3 ns

单位重量:6 g

供应商SIHF8N50L-E3
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SIHF8N50L-E3Vishay半导体 MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥5.271+:¥9.0299
10+:¥7.25
100+:¥5.8
500+:¥5.8
1000+:¥5.38
2000+:¥4.94
5000+:¥4.89
10000+:¥4.71
25000+:¥4.681+:¥5.26
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SIHF8N50L-E3Vishay半导体 MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥5.27
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SIHF8N50L-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK1:¥11.9893
10:¥9.9892
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500:¥6.7348
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SIHF8N50L-E3Vishay半导体 MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥5.271+:¥9.0299
10+:¥7.25
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500+:¥5.8
1000+:¥5.38
2000+:¥4.94
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