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SIHF8N50D-E3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
SIHF8N50D-E3的规格信息
SIHF8N50D-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:8.7 A

Rds On-漏源导通电阻:850 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:33 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:D

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:6 g

供应商SIHF8N50D-E3
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深圳市百视威讯电子科技有限公司SIHF8N50D-E3华强广场C座18J0755-27381274
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIHF8N50D-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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”13725596657“17503034873
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Arrow(艾睿)
SIHF8N50D-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS1+:¥13.75
10+:¥12.41
25+:¥11.08
100+:¥9.98
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25000+:¥5.71000+:¥5.1150+:¥13.51
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5000+:¥10.041+:¥5.34
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Digi-Key 得捷电子
SIHF8N50D-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS1+:¥13.75
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Digi-Key 得捷电子
SIHF8N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8.7A TO220$1.74000
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SIHF8N50D-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS1+:¥13.75
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25000+:¥5.71000+:¥5.11
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Mouser 贸泽电子
SIHF8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
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Mouser 贸泽电子
SIHF8N50D-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS1+:¥13.75
10+:¥12.41
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RS(欧时)
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25000+:¥5.71000+:¥5.1150+:¥13.51
250+:¥11.07
1000+:¥10.55
5000+:¥10.04