通道类型：N

最大连续漏极电流：9 A

最大漏源电压：200 V

最大漏源电阻值：400 m0hms

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：74 W

高度：4.83mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度：+150 °C

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：43 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：800 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：39 ns

典型接通延迟时间：9.4 ns

最低工作温度：-55 °C

长度：10.67mm

宽度：9.65mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs