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SIHF820L-GE3 /Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
SIHF820L-GE3的规格信息
SIHF820L-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流2.5 A

最大漏源电压500 V

最大漏源电阻值3 0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220AB

安装类型通孔

晶体管配置

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散50 W

典型接通延迟时间8 ns

典型关断延迟时间33 ns

典型输入电容值@Vds360 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs24 nC @ 10 V

晶体管材料Si

宽度4.65mm

最低工作温度-55 °C

最高工作温度+150 °C

长度10.51mm

高度15.49mm

尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm

每片芯片元件数目1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商SIHF820L-GE3
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SIHF820L-GE3SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220ABSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO174.39 Kbytes共8页SIHF820L-GE3的PDF下载地址
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