SIHF820L-GE3的供应商，SIHF820L-GE3规格参数，SIHF820L-GE3的PDF资料

SIHF820L-GE3 /Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装

SIHF820L-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流2.5 A

最大漏源电压500 V

最大漏源电阻值3 0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220AB

安装类型通孔

晶体管配置单

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散50 W

典型接通延迟时间8 ns

典型关断延迟时间33 ns

典型输入电容值@Vds360 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs24 nC @ 10 V

晶体管材料Si

宽度4.65mm

最低工作温度-55 °C

最高工作温度+150 °C

长度10.51mm

高度15.49mm

尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm

每片芯片元件数目1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

SIHF820L-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳博睿鹏成科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦403	0755-23251550 13510558532,17727431393	唐伟,吕年英	询价
深圳市泓建半导体有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12	18617195508 18617195508	蔡永记	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	SIHF820L-GE3	赛格科技园2栋1008	13148740189/ 19520735817/13632918917 13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917	文小姐，米小姐，朱小姐	询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室	18927111567	黄	询价

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SIHF820L-GE3	SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB	Siliconix / Vishay		174.39 Kbytes	共8页		无

SIHF820L-GE3的全球分销商及价格

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Allied Electronics	SIHF820L-GE3	Siliconix / Vishay	SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB	+100:$1.60 +250:$1.37 +500:$1.27 +1000:$1.18

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