SIHF820L-GE3
/Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
SIHF820L-GE3的规格信息
通道类型N
最大连续漏极电流2.5 A
最大漏源电压500 V
最大漏源电阻值3 0hms
最小栅阈值电压2V
最大栅源电压-20 V、+20 V
封装类型TO-220AB
安装类型通孔
晶体管配置单
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散50 W
典型接通延迟时间8 ns
典型关断延迟时间33 ns
典型输入电容值@Vds360 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs24 nC @ 10 V
晶体管材料Si
宽度4.65mm
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
长度10.51mm
高度15.49mm
尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm
每片芯片元件数目1
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs
SIHF820L-GE3
SIHF820L-GE3及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SIHF820L-GE3 | SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB | Siliconix / Vishay |  | 174.39 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
SIHF820L-GE3的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SIHF820L-GE3 | Siliconix / Vishay | SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB | +100:$1.60
+250:$1.37
+500:$1.27
+1000:$1.18 |