SIHF820L-GE3的供应商，SIHF820L-GE3规格参数，SIHF820L-GE3的PDF资料

SIHF820L-GE3 /Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装

SIHF820L-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流2.5 A

最大漏源电压500 V

最大漏源电阻值3 0hms

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220AB

安装类型通孔

晶体管配置单

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散50 W

典型接通延迟时间8 ns

典型关断延迟时间33 ns

典型输入电容值@Vds360 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs24 nC @ 10 V

晶体管材料Si

宽度4.65mm

最低工作温度-55 °C

最高工作温度+150 °C

长度10.51mm

高度15.49mm

尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm

每片芯片元件数目1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

SIHF820L-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市良普科电子有限公司	SIHF820L-GE3	华强北上步工业区501栋503室	0755-82568696 18688969163	张小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SIHF820L-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
寅俐（深圳）科技有限公司	SIHF820L-GE3	深圳市福田区华强北街道海外装饰大厦A座1305室	17602007745 17602007745	张先生	询价
上海传泽电子科技有限公司	SIHF820L-GE3	上海市松江区乐都西路825弄8990号5层	13381567868	刘经理	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	SIHF820L-GE3	中航路都会100大厦B座10Q	0755-82578328，0755-23914356 18617161819，15820786907	曹先生，吴小姐	询价

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SIHF820L-GE3	SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB	Siliconix / Vishay		174.39 Kbytes	共8页		无

SIHF820L-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	SIHF820L-GE3	Siliconix / Vishay	SIHF820L-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.5 A; 500 V; 3-Pin TO-220AB	+100:$1.60 +250:$1.37 +500:$1.27 +1000:$1.18

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