单位包：1000

最小起订量：1000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Bulk

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：21A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：600V

标准包装：1,000

供应商设备封装：TO-220 Full Pack

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：180 mOhm @ 11A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：35W

封装/外壳：TO-220-3 Full Pack

输入电容（Ciss ） @ VDS：1920pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：86nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：Through Hole

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

配置：Single

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：21 A

系列：E

RDS（ON）：180 mOhms

功率耗散：35 W

最低工作温度：- 55 C

正向跨导 - 闵：6.4 S

栅极电荷Qg：86 nC

典型关闭延迟时间：66 ns

上升时间：27 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：600 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：35 ns

Continuous Drain Current Id：:21A

Drain Source Voltage Vds：:600V

On Resistance Rds(on)：:0.15ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:2V

功耗：:35W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:TO-220FP

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：0.001

Tariff No.：85412900