单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4.2A, Ta, 4.5A Tc

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.3V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：30V

标准包装：3,000

供应商设备封装：PowerPAK® SC-70-6 Dual

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：65 mOhm @ 3A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Schottky, Metal Oxide

功率 - 最大：1.9W, 1.9W

封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6 Dual

输入电容（Ciss ） @ VDS：600pF @ 15V

其他名称：SIA817EDJ-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：23nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Dual

源极击穿电压：12 V

连续漏极电流：- 4.5 A

正向跨导 - 闵：9 S

RDS（ON）：125 mOhms

功率耗散：6.5 W

最低工作温度：- 55 C

栅极电荷Qg：6.6 nC

典型关闭延迟时间：23 ns

上升时间：20 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 30 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：10 ns