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SI7635DP-T1-GE3 /Si7635DP Series P-Channel 20 V 0.0049 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
SI7635DP-T1-GE3的规格信息
SI7635DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：143nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4595pF @ 10V

Vgs（最大值）：±16V

功率耗散（最大值）：5W（Ta），54W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4.9 毫欧 @ 26A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：40A

漏源极导通电阻RDS(ON)：4.9mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：1Vto2.2V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI7635DP-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7635DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市芯奕科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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万三科技（深圳）有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI7635DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SI7635DP-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO316.85 Kbytes共13页SI7635DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7635DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO318.54 Kbytes共13页SI7635DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7635DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7635DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8Obsolete
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SI7635DP-T1-GE3的相关型号
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