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SI7623DN-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7623DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:82 ns

典型接通延迟时间:37 ns

供应商SI7623DN-T1-GE3
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135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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SI7623DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III3000+:¥4.89
6000+:¥4.65
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30000+:¥4.3301
75000+:¥4.191+:¥9.6901
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100+:¥5.97
500+:¥5.28
1000+:¥5.17
3000+:¥4.93
6000+:¥4.75
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24000+:¥4.51991+:¥5.36
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Digi-Key 得捷电子
SI7623DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III3000+:¥4.89
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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75000+:¥4.191+:¥9.6901
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SI7623DN-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥8.87
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