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SI7611DN-T1-GE3 /MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7611DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:41 nC

最小工作温度:- 50 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:39 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:9 ns, 12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns, 150 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns, 30 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 47 ns

零件号别名:SI7611DN-GE3

供应商SI7611DN-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI7611DN-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7611DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI7611DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7611DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI7611DN-T1-GE3.广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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SI7611DN-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET P-CH 40V 18A 1212-8+3000:$1.52
+150000:$1.48
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SI7611DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 18A 39W 25mohm @ 10V3000+:¥5.21
6000+:¥5.0101
15000+:¥4.82
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75000+:¥4.631+:¥9.5201
10+:¥7.65
100+:¥6.15
500+:¥6.15
1000+:¥5.71
3000+:¥5.24
6000+:¥5.19
9000+:¥4.9901
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Digi-Key 得捷电子
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8$1.72000
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI7611DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥12.5995
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SI7611DN-T1-GE3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:¥7.17
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