FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）87nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2620pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds10V

功率耗散（最大值）3.8W（Ta），52.1W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8.7 毫欧 @ 17A，10V

工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

封装/外壳PowerPAK® 1212-8

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs