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SI7619DN-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7619DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:27.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商SI7619DN-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI7619DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司Si7619DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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18822854608
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深圳市百域芯科技有限公司SI7619DN-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI7619DN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
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深圳市芯奕科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si7619DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7619DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
上海三崧电子有限公司SI7619DN-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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SI7619DN-T1-GE3MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO123.71 Kbytes共7页SI7619DN-T1-GE3的PDF下载地址
SI7619DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO591.61 Kbytes共13页SI7619DN-T1-GE3的PDF下载地址
SI7619DN-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO122.34 Kbytes共7页SI7619DN-T1-GE3的PDF下载地址
SI7619DN-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SI7619DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
75000+:¥1.87
150000+:¥1.83991+:¥4.81
10+:¥3.78
100+:¥2.87
500+:¥2.44
1000+:¥2.26
3000+:¥2.26
6000+:¥2.08
9000+:¥2.06
24000+:¥1.981+:¥2.47
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Digi-Key 得捷电子
SI7619DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
75000+:¥1.87
150000+:¥1.8399
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Mouser 贸泽电子
SI7619DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥6.4523
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.3391
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI7619DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.21
6000+:¥2.06
15000+:¥1.9901
30000+:¥1.91
75000+:¥1.87
150000+:¥1.83991+:¥4.81
10+:¥3.78
100+:¥2.87
500+:¥2.44
1000+:¥2.26
3000+:¥2.26
6000+:¥2.08
9000+:¥2.06
24000+:¥1.98
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立创商城
SI7619DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:P沟道1+:¥3.15
10+:¥2.31
30+:¥2.15
100+:¥2
500+:¥1.93
1000+:¥1.89