销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | SI7619DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥2.21 6000+:¥2.06 15000+:¥1.9901 30000+:¥1.91 75000+:¥1.87 150000+:¥1.83991+:¥4.81 10+:¥3.78 100+:¥2.87 500+:¥2.44 1000+:¥2.26 3000+:¥2.26 6000+:¥2.08 9000+:¥2.06 24000+:¥1.981+:¥2.47 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI7619DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥2.21 6000+:¥2.06 15000+:¥1.9901 30000+:¥1.91 75000+:¥1.87 150000+:¥1.8399 |
 Mouser 贸泽电子 | SI7619DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | 1:¥6.4523 10:¥5.1528 100:¥3.9098 500:¥3.2318 1,000:¥2.5764 3,000:¥2.3391
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 Mouser 贸泽电子 | SI7619DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥2.21 6000+:¥2.06 15000+:¥1.9901 30000+:¥1.91 75000+:¥1.87 150000+:¥1.83991+:¥4.81 10+:¥3.78 100+:¥2.87 500+:¥2.44 1000+:¥2.26 3000+:¥2.26 6000+:¥2.08 9000+:¥2.06 24000+:¥1.98 |
 立创商城 | SI7619DN-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:P沟道 | 1+:¥3.15 10+:¥2.31 30+:¥2.15 100+:¥2 500+:¥1.93 1000+:¥1.89
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