系列：TrenchFET®

FET类型：N 和 P 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A，9A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：28 毫欧 @ 12A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：48nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1310pF @ 10V

功率-最大值：3.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8 Dual

极性Polarity：N+P

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：12A/9A

无铅情况/RoHs：否