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SI7620DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7620DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):126 毫欧 @ 3.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 75V

功率 - 最大值:5.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

其它名称:SI7620DN-T1-GE3TRSI7620DNT1GE3

供应商SI7620DN-T1-GE3
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SI7620DN-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET3,000 : $0.86
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