标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A，3.2A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.4W，1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 Dual

其它名称：SI7530DP-T1-E3CT