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SI7483ADP-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7483ADP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.9W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

其它名称:SI7483ADP-T1-E3TRSI7483ADPT1E3

供应商SI7483ADP-T1-E3
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100+:¥12.75
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SI7483ADP-T1-E3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET, -30V, 24A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-24A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V ;RoHS Compliant: Yes价格未公开
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