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SI7454FDP-T1-RE3 /N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
SI7454FDP-T1-RE3的规格信息
SI7454FDP-T1-RE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTrenchFET® Gen IV

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A (Ta), 23.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs29.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 39W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8

Package / CasePowerPAK® SO-8

供应商SI7454FDP-T1-RE3
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