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SI7430DP-T1-E3 /Single N-Channel 150 V 45 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
SI7430DP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：26A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：43nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1735pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），64W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：45 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：7.2A

漏源极导通电阻RDS(ON)：45mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI7430DP-T1-E3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7430DP-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市星宇佳科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市斌腾达科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城SI7430DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司Si7430DP-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI7430DP-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI7430DP-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司Si7430DP-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI7430DP-T1-E3MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO319.48 Kbytes共13页SI7430DP-T1-E3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-E3MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO316.50 Kbytes共13页SI7430DP-T1-E3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO318.18 Kbytes共13页SI7430DP-T1-E3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		SI7430DP-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:￥7.87
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ChipOneStop		SI7430DP-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:￥7.87
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		SI7430DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥22.826
10:¥18.9049
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立创商城		SI7430DP-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道1+:￥16.05
10+:￥15.64
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