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SI7430DP-T1-GE3 /MOSFET
SI7430DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：SI

单位重量：506.600 mg

高度：1.04 mm

长度：6.15 mm

宽度：5.15 mm

零件号别名：SI7430DP-GE3

商标名：TrenchFET

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：26A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：43nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1735pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），64W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：45 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK®SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：7.2A

漏源极导通电阻RDS(ON)：45mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI7430DP-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7430DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7430DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市星宇佳科技有限公司SI7430DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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集好芯城SI7430DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7430DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI7430DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯奕科技有限公司SI7430DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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SI7430DP-T1-GE3MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO319.48 Kbytes共13页SI7430DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO316.50 Kbytes共13页SI7430DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO318.18 Kbytes共13页SI7430DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7430DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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10+:￥16.86
30+:￥16.56
100+:￥16.27
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